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  • 简介:用 555芯片设计的施密特触发器电路 ( 1)当 ui= 0时,由于比较器 C11、 C20,触发器置 1,即 Q= 1、 , uo1= uo= 1。 ui升高时,在未到达 2VCC/3以前, uo1= uo= 1的状态不会改变。 ( 1)当 ui= 0时,由于比较器 C11、 C20,触发器置 1,即 Q= 1、 , uo1= uo= 1。 ui升高时,在未到达 2VCC/3以前, uo1= uo= 1的状态不会改变。 ( 2) ui升高到 2VCC/3时,比较器 C1输出为 0、 C2输出为 1,触发器置 0,即 Q= 0、 ,uo1uo0。此后, ui上升到 VCC,
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  • 简介:模拟芯片设计的四个层次 从复旦攻读微 电子 专业模拟 芯片 设计方向研究生开始到现在五年工作经验,已经整整八年了,其间聆听过很多国内外专家的指点。最近,应朋友之邀,写一点心得体会和大家共享。 我记得本科刚毕业时,由于本人打算研究传感器的,后来阴差阳错进了复旦逸夫楼专用 集成 电路 与系统国家重点实验室做研究生。现在想来这个实验室名字大有深意,只是当时惘然。电路和系统,看上去是两个概念, 两个层次。 我同学有读电子学与信息系统方向研究生的,那时候知道他们是 “系统 ”的, 而我们呢,是做模拟 “电路 ”设计的 ,自然要偏向电路。而模拟芯片设计初学者对奇思淫巧的电路总是很崇拜,尤其是这个领 域
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  • 简介:晶圆清洗 摘要介绍了半导体 IC 制程中存在的各种污染物类型及其对 IC 制程的影响和各种污染物的去除方法 , 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。 关键词湿法清洗; RCA 清洗;稀释化学法; IMEC 清洗法;单晶片清洗;干法清洗 中图分类号 TN305.97 文 献 标 识 码 B 文 章 编 号 1003-353X200309-0044-048 1 前言 半导体 IC 制程主要以 20 世纪 50 年代以后发明的四项基础 工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染
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  • 简介:编者按 原文由 小熊在线 最先发表,介绍了 navida公司设计图象处理芯片( GPU)的全过程,本站对文章中一些专业内容进行了修改和补充,让大家可以对大规模芯片设计的过程,以及 FPGA在 IC设计中的作用,有一个形象的了解。 前言 人类对视觉信号天生的敏感决定了对图形处理硬件性能的渴求成了现阶段硬件产业最炙手可热的话题。 与满足听觉的音频设备相比,现在的图形处理技术水平给图形处理还留有很大的发展空间, 这就决定了这个产业的竞 争充满了变数,在技术开发和市场推广策略上稍有不慎就会别别人赶超。 为了应付激烈的行业竞争, 设计出更高性能的图形处理芯片已经成为各个厂商保持自身竞争力水平最重要的手
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  • 简介:图形芯片设计全过程 人类对视觉信号天生的敏感决定了对图形处理硬件性能的渴求成了现阶段硬件产业最炙手可热的话题。与满足听觉的音频设备相比,现在的图形处理技术水平给图形处理还留有很大的发展空间,要实现电影级别的实时三维渲染效果还有很长一段路要走。这就决定了这个产业的竞争充满了变数,在技术开发和市场推广策略上稍有不慎就会别别人赶超。为了应付激烈的行业竞争,图形处理芯片产业的各个厂商为了作为一种 ASIC( Application Specific Integrated Circuit)特定用途集成电路已经衍生出 特定运作的策略,产品研发程序,以保持自身在整个产业的竞争力水平。现将图形芯片设计研发的
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  • 简介:IC设计完整流程及工具 IC 的设计过程可分为两个部分,分别为 前端设计(也称逻辑设计)和后端设计(也称物理设计) ,这两个部分 并没有统一严格的界限, 凡涉及到与工艺有关的设计可称为 后端设计。 前端设计 的主要 流程 1、 规格制定 芯片规格,也就像功能列表一样,是客户向芯片设计公司(称为 Fabless,无晶圆设计公司)提出的设计要求,包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、 详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求,拿出设计解决方案和具体实现架构,划分模块功能。 3、 HDL编码 使用硬件描述语言( VHDL, Verilog HDL,业界公司一般都是使用后者)将
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  • 简介:冰冻切片组织的制备 固定 将组织置于 4多聚甲醛固定液中, 4℃摇床过夜。 漂洗 将固定后的标本用 1X PBS 漂洗三次,每次 15 分钟。 脱水 将组织置于 30蔗糖溶液中, 4℃摇床过夜。第二天观察是否脱水完全,判断的标准是,当管竖直时,组织是否沉到蔗糖溶液的底部,若组织已完全沉降到蔗糖溶液的底部,平放或震荡后仍能沉降,则可判断组织已脱水完全。 包埋 将组织倒入培养皿中,用眼科刀将脑和脊髓根据切片切面的需要在不同的部位切开,并做好头尾端的标记。之后将组织置于包埋盒中,用滤纸吸干组织周围多余的蔗糖溶液,滴加 OCT( optimal cutting temperature
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  • 简介:半导体 IC 制造流程 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件(如晶体管、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ,以微处理器( Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘量( Particle)均需控制的无尘室( Clean-Room),虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗 ( Cleaning)之后,接着进行氧化( Oxidation)及沈积,最后进行微影
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  • 简介: 1. 国内微电子企业排名 (来源微电子论坛 www.36ic.com ) 发表于 2012-10-31 113700 2. 微电子专业排名 (来源微电子论坛 www.36ic.com ) 发表于 2010-4-5 180215 应该是这样排名的 1 .清华(整体最强) 2.电子科大功率器件、半导体功能材料最强 一、 10 大集成电路设计企业 排名 企业名称 销售额(亿元) 1 炬力集成电路设计有限公司 13.46 2 中国华大集成电路设计集团有限公司 包含北京中电华大电子设计公司等 12.00 3 北京中星微电子有限公司 10.13 4 大唐微电子技术有限公司 9.19
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  • 简介:CP、 FT、 WAT CP 是 把 坏的 Die 挑出来,可以减少封装和测试的成 本。可以更直接的知道 Wafer 的良率。FT是把坏的 chip挑出来;检验封装的良率。 现在对于一般的 wafer工艺,很多公司多把 CP给省了;减少成本。 CP对整片 Wafer的每个 Die来测试 而 FT则对封装好的 Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后 FT,确保封装后也 Pass。 WAT是 Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形( test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; CP是 wafer level的 chip probing,是
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  • 简介: 在半导体材料硅的表面清洁处理,硅片机械加工后表面损伤层的去除、直接键合硅片的减薄、硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。 一、硅片腐蚀工艺的化学原理 硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀,硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池,腐蚀电流较大,一般超过 100A/cm2,但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求,目前主要使用氢氟酸( HF) ,硝酸 HNO3混合的酸性腐蚀液,以及氢氧化钾 KOH或氢氧化钠( NaOH)等碱性腐蚀液。现在主 要用的是 HNO3-HF 腐蚀液和 NaOH 腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐
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  • 简介: 化学机械抛光液( CMP)氧化铝抛光液 一、行业的界定与分类 . 2 (一)化学机械抛光 . 2 1、 化学机械抛光概念 . 2 2、 CMP 工艺的基本原理 2 3、 CMP 技术所采用的设备及消耗品 2 4、 CMP 过程 2 5、 CMP 技术的优势 2 (二)化学机械抛光液 . 3 1、化学机械抛光液概念 . 3 2、化学机械抛光液的 组成 . 3 3、化学机械抛光液的分类 . 3 4、 CMP 过程中对抛光液性能的要求 3 (三)化学机械抛光液的应用领域 . 3 二、原材料供应商 . 4 三、化学机械抛光液行业现状 . 4 (一)抛光液行业现状 . 4 1、国际市场主要
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  • 简介: 1 CPU 芯片测试技术 2 目录 第一章 CPU 芯片封装概述 1.1 集成电路的发展 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 4 1. 1. 1 世界集成电路的发展 „„„„„„„„„„„„„„„„ .4 1. 1. 2 我国集成电路的发展 „„„„„„„„„„„„„ „ .„ 5 1. 1. 3 CPU 芯片的发展 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 6 1.2 CPU 构造原理 „„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ .10 1. 3 .1 CPU 工作原理 „„„„„„„„„„„„„„„„„„ .11 1. 3. 2 CPU 的工作流程 „„„„„„„„„
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  • 简介:耦合器、控制器的两组 24V电源输入端分别有什么作用如果我要使用 5V 供电的 IO模块,能否直接对耦合器(控制器)的第二组电源输入端直接供 5V 电压 答 倍福所有的耦合器、控制器都有两组 24V电源输入端 Us和 Up, Us为耦合器(控制器)工作供电及 K-bus( E-bus)通讯供电, Up用于提供所带输出 IO模块的线圈供电,两组电源要求隔离。 要使用 5V 的 IO 模块,必须添加一块 5V 的系统模块 KLEL9505,不能直接对 耦合器(控制器)的第二组电源 ( Us) 输入端直接供 5V电压 。
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  • 简介:建设工程消防监督管理规定(公安部令第 106 号) 目 录 第一章 总 则 第二章 消防设计、施工的质量责任 第三章 消防设计审核和消防验收 第四章 消防设计和竣工验收的备案抽查 第五章 执法监督 第六章 法律责任 第七章 附 则 第一章 总 则 第一条 为了加强建设工程消防监督管理,落实建设工程消防设计、施工质量和安全责任,规范消防监督管理行为,依据中华人民共和国消防法、建设工程质量管理条例,制定本规定。 第二条 本规定适用于新建、扩建、改建(含室内装修、用途变更)等建设工程的消防监督管理。 本规定不适用住宅室内装修、村民自建住宅、救灾和其他临时性建筑的建设活动。 第三条 建设
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